Plasma sputtering

Procédé dans lequel des particules énergétiques issues d'un plasma gazeux bombardent un matériau cible solide, délogeant (pulvérisant) ses atomes. Ces atomes éjectés se déposent ensuite sur un substrat, formant une couche ultra-fine. Il s'agit d'un type de dépôt physique en phase vapeur (PVD) utilisé pour créer des revêtements et des films minces destinés à diverses applications, notamment la fabrication de semi-conducteurs, les dispositifs optiques et les surfaces résistantes à l'usure.

4 chambres pour le plasma sputtering (DC, RF and AC)

• Fonctionnalisation par plasma
• Déposition de couches minces 

PECVD deposition 

Le PECVD (dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma) est une technique de dépôt de couches minces qui utilise l'énergie plasma pour activer des précurseurs gazeux, provoquant leur réaction et la formation d'un film solide sur un substrat. Le principal avantage du PECVD est qu'il fonctionne à des températures plus basses que le CVD classique, ce qui permet de déposer des films de haute qualité sur des matériaux sensibles à la température et de créer diverses couches isolantes, protectrices et électroniques dans les domaines de la microélectronique, de l'optique et du conditionnement.

4 chambre pour la déposition et la fonctionnalisation PECVD 

• Traitement par poudre