L'objectif de ce cours est de donner à l'étudiant les bases nécessaires pour choisir une méthode appropriée pour la préparation d'un film mince par technique sous vide, la mettre en oeuvre, et comprendre les mécanismes physiques sous-jacents.
Le contenu comporte des matières liées à la nucléation et la synthèse de films minces déposés par techniques sous vide: évaporation, plasma, ...
Le contenu est adapté en fonction des besoins des étudiants pour leur mémoire de master. A titre d'exemple, il peut inclure:
Rappels sur la théorie cinétique des gaz. Evaporation: modèle de Knudsen, types d'évaporateurs, considérations techniques. Mesure de l'épaisseur d'un film mince. Croissance épitaxique, modes de croissance, contraintes et déformations, épaisseur critique. Epitaxie par jets moléculaires (principe, caractérisation en temps réel et a posteriori, épitaxie sur silicium) Introduction élémentaire à la CVD Pulvérisation cathodique DC et RF, techniques de diagnostique plasma, simulation numérique de la croissance de films minces.
Quelques exercises seront à solutionner en utilisant le code de simulation Monte-Carlo NASCAM développé par le groupe de S. Lucas
Une combinaison entre cours magistral, lectures personnelles, visites de laboratoires, exercices, etc.
Travail personnel, se rapportant à un sujet développé au cours. Le travail doit démontrer une compréhension approfondie du sujet traîté.
La litérature scientifique dans le domaine.
| Formation | Programme d’études | Bloc | Crédits | Obligatoire |
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| Standard | 0 | 3 | ||
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| Standard | 1 | 3 | ||
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